冶金法制備多晶硅就是定向凝固提純技術在去除金屬雜質(zhì)方面的典型應用，而定向凝固提純技術也是冶金法提純硅材料的關鍵工藝。關于定向凝固技術制備多晶硅技術，專家學者做了大量研究工作，尤其，近幾年國內(nèi)高校昆明理工大學、大連理工大學、太原理工大學等在定向凝固技術制備多晶硅方面做了大量實驗，得出很多有用結論。

    Morita等人提出，冶金級硅中金屬雜質(zhì)經(jīng)過2次定向凝固提純， 完全可以達到太陽能級多晶硅要求[30]。Rannveig Kvande 等通過慢冷和快冷快速定向凝固對比實驗， 測量出碳的含量在2個試塊中的含量分布基本一樣，慢冷的氧含量比快冷高。Pires等利用電子束熔煉法， 獲得了5N的太陽能級多晶硅，得出了硅錠下部和邊緣雜質(zhì)的含量較低，上部和中間雜質(zhì)含量較高的結論。Chandra P Khattak 等利用真空氧化和定向凝固2步工藝提純工業(yè)硅，結果表明，大部分的金屬雜質(zhì)含量還是很高，雖然部分金屬雜質(zhì)去除效果理想，但還是達不到太陽能級多晶硅的要求。

    昆明理工大學的戴永年教授等人利用定向凝固技術去除工業(yè)硅中的雜質(zhì)鋁，結果表明，定向凝固提純法除鋁的去除率可達98.6%，這說明定向凝固提純法去除鋁是可行的，但不能去除晶界處富集的鋁雜質(zhì)。吳亞萍等對真空感應熔煉和定向凝固研究， 結果表明定向凝固提純技術可以去除工業(yè)硅中平衡系數(shù)小于1 的金屬雜質(zhì)，但對不同雜質(zhì)去除的程度不同。Liu等通過研究鐵隨時間和溫度變化的分布情況， 得出多晶硅鑄錠中的碳濃度以及碳化硅沉淀相的分布。